首页 > 新闻中心 > 公司动态

半导体二极管的伏安特性全面介绍
关键词:防反二极管光伏防反二极管降压硅链来源:东瑞电子发布时间:2018-04-03 16:54:06 点击量:
二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常用伏安特性曲线来描述二极管的单向导电性。如图所示,横坐标代表电压,纵坐标代表电流。
半导体二极管.jpg
正向特性(外加正向电压)
正向特性即二极管正向偏置时的电压与电流的关系。二极管两端加正向电压较小时,正向电压产生的外 电场不足以使多子形成扩散运动,这时的二极管实际上还没有很好地导通,通常称为“死区”,二极管相当于一个极大的电阻,正向电流很小。
当正向电压超过一定值后,内电场被大大削弱,多子在外电场的作用下形成扩散运动,这时,正向电流随正向电压的增大迅速增大,二极管导通。该电压称为门槛电压(也称阈值电压),用Vth表示。在室温下,硅管的Vth约为0.5V,锗管的Vth约为0.1V。
二极管一旦导通后,随着正向电压的微小增加,正向电流会有极大的增加,此时二极管呈现的电阻很小,可认为二极管具有恒压特性。二极管的正向压降硅管约为0.6~0.8V(通常取0.7V),锗管约为0.2~0.3V(通常取0.2V)。 ·
反向特性(外加反向电压)
反向特性即二极管反向偏置时的电压与电流的关系。反向电压加强了内电场对多子扩散的阻碍,多子几乎不能形成电流,但是少子在电场的作用下漂移,形成很小的漂移电流,且与反向电压的大小基本无关。此时的反向电流称为反向饱和电流尽,二极管呈现很高的反向电阻,处于截止状态。
反向击穿特性
反向电压增加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为二极管的反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用%R表示。实际应用中,应该对反向击穿后的电流加以限制,以免损坏二极管。