可控硅电源简介及使用说明

可控硅整流器简介

晶闸管(scr)是一种常见的功率半导体电子器件，可以控制几千瓦甚至兆瓦级的功率。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。降压硅链继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。防反二极管继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。从结构上讲，它是一种反向截止的三极晶闸管，由三个 pn 结(pn-pn 四层)组成。该装置的外引线有三个电极: 阴极、阳极和控制极。该器件的反向特性(阳极到负极)与 pn 结二极管的反向特性相似，其正向特性是器件在一定范围内处于高阻抗闭合状态(正阻断状态，即伏安特性象限内虚线下的实线部分)。当暂态正向电压大于过渡电压时，器件迅速转变为低压大电流状态。

SilCR标记符号、伏安法特性和原理图轮廓

处于一个正向阻断态的器件，如果企业给予内部控制极一低功率的触发数据信号(使控制极-阴极PN结导通)，则器件可迅速被激发到导通状态，之后毋须继续发展保持一种触发工作电流通过即可维持在通导状态，此时我们若将电流可以降至维持稳定电流(伏安特性虚线处)以下，器件可恢复到阻断这种状态.

CR整流器：主回路采用三相桥或双反星带平衡电抗器回路。可控硅组件采用高功率组件，节能，效率高。主控系统采用大板、高门槛抗干扰、大型集成控制板，所有模块及集成组件均采用进口，可靠性高。采用自动稳压、流量稳定等功能，稳定精度优于1%。采用0~60S软启动，电镀氧化着色时间可以任意设置，自动定时。采用多相整流，降低输出电压纹波系数ru，特别适用于硬铬电镀工艺，表面光洁度好，涂层厚度均匀。冷却方式：水冷、风冷、自冷等。

晶闸管是一种功率半导体器件。 它具有容量大、效率高、可控性好、寿命长、体积小等优点，是弱电流控制与受控强电流之间的桥梁。 从节能的角度来看，电力电子技术被称为新的电气技术。 中国能源利用率相对较低，按单位国民生产能耗计算，中国是法国的4.98倍，是日本的4.43倍。 因此，以晶闸管为核心的电气控制装置的广泛应用是我国有效节能的重要措施。

可控硅整流器结构

晶闸管的四层结构通常被描述为 npn 和 pnp 晶体管的互连。如果两个晶体管的共基极电流放大系数分别为 α1和 α2(均为工作状态的函数) ，则通电的必要条件是 α1 + α2？1.如果在正向阻断状态下向控制电极注入正电流，npn 晶体管的电流放大系数 α1将迅速增加，导致 α2的增加，满足导通条件。