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可控硅损坏的原因分析

发布时间: 2022-09-21 10:30:58    人气:38 次

有很多客户在咨询过程中问自己最近改变了硅有多坏?经我们的分析和实验作以下解释,供参考。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。防反二极管继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。降压硅链继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。

高温会导致晶闸管烧坏,温度是由晶闸管电性能、热性能和结构性能决定,因此,为了保证晶闸管在开发和生产过程中的质量,必须从电特性、热特性和结构特性三个方面入手,这三个方面是紧密联系和不可分割的。 因此,在可控硅的开发和生产中应充分考虑电应力、热应力和结构应力。 晶闸管烧坏的原因有很多,一般来说,晶闸管只有在三者共同作用下才会烧坏,并且由于单个特性的退化,很难导致晶闸管烧坏。 因此,我们可以在生产过程中充分利用这一特点,即如果其中一个应力不能满足其他两个应力的要求,可以采取增加的方式进行弥补。

可控硅的各相参数看,经常发生事故的参数有:电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等,甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸 管各参数性能的下降或线路问题会造成可控硅烧坏,从表面看来每个参数所造成可控硅烧坏的现象是不同的,因此通过解剖烧坏的可控硅就可以判断是哪个参数造成 可控硅烧坏的。

电压引起可控硅烧坏现象

一般这种情况下进行阴极材料表面或芯片边缘有一烧坏的小黑点说明是由于工作电压可以引起的,由电压变化引起烧坏可控硅的原因有两中可能,一是可控硅电压控制失效,就是因为我们现在常说的降伏,电压失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是旅游线路设计问题,线路中产生了过电压,且对可控硅所采取的保护管理措施分析失效。

电流导致可控硅被烧毁

电流是否烧坏可控硅通常是通过阴极材料表面有较大的烧坏痕迹,甚至将芯片、管壳等金属进行大面积溶化。

Di/dt 引起的可控硅烧毁

由di/dt引起的晶闸管烧损容易判断,在栅电极或栅电极附近通常会烧一个小的黑点。 我们知道,晶闸管的等效电路由两个晶闸管组成,栅极对应的晶闸管作为触发器,当触发信号到达时放大,然后尽快导通主晶闸管。 但是,如果在短时间内电流过大,则主晶闸管没有完全导通,大电流主要流过栅极对应晶闸管,晶闸管承载电流的容量很小,因此导致该晶闸管烧坏,表面看起来是门极或将门极放在附近烧出一个小黑点。

  dv/dt引起控制可控硅烧坏或者现象

  至于dv/dt其本身是不会烧坏可控硅的,只是高的dv/dt会使可控硅误触发导通,其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。