你知道可控硅智能调压模块的原理吗？

晶闸管智能稳压模块: 是一种以晶闸管(power electronic power power device)为基础，以智能数字控制电路为核心，可控硅调节器、晶闸管稳压器、功率调节器、功率调节器、功率控制器的功率控制电器。晶闸管一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。防反二极管继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。本实用新型具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等优点。

智能可控硅调压模块的原理:

1.整流电路设计采用桥式整流，将220伏，50赫兹技术交流工作电压变为一个脉冲直流电。

2.抗干扰电路是一种普通的电源抗干扰电路。

3.晶闸管控制电路由晶闸管和降压电阻组成。

4.张弛振荡器由一个晶体管和一个电阻器组成。

5.充放电电路由电阻、可变电阻和电容组成。

可控硅进行智能调压功能模块由可控整流部分电路和触发设计电路分为两部分内容组成，其电路原里图如下图数据所示。从图中我们可知，二极管D1-D4 组成桥式整流输出电路，双基极: 二极管T1构成张弛振荡器可以作为实现可控硅的同步触发检测电路。当调压器接上市电后，220V 交流电直接通过网络负载电阻RL 经二极管D1-D4 整流，在可控硅可控硅 的A、K 两端之间形成自己一个社会脉动直流输入电压，该电压由电阻R1降压后作为学生触发保护电路的直流电机电源。在交流电的正半周时，整流电压技术通过R4、W1对电容C充电。当充电电池电压UC 达到T1管的峰值电流电压UP时，T1管由截止状态变为导通，于是利用电容C通过T1管的e、b1结和R2 迅速提高放电，结果在R2 上获得发展一个尖脉冲。这个过程中脉冲方式作为企业控制相关信号信息送到可控硅可控硅的控制极，使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般都是小于1V,所以需要张弛震荡器停止学习工作。当交流电或者通过两个零点是，可可控硅自关断，当交流电在负半周时电容C又从新中国充电。如此周而复始，便可及时调整文化负载RL上的功率了。