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使用双向可控硅的十大指南

发布时间: 2023-01-11 10:12:24    人气:43 次

标准1:为了接通晶闸管(或三端双向可控硅开关),必须有大于IGT的栅极电流,直到负载电流达到IL。防反二极管继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。降压硅链继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。 必须根据可能遇到的低温来满足和考虑该条件。

规则2: 若要断开(开关)晶闸管(或双向晶闸管) ,负载电流必须处于两者之间,才能恢复到截止状态。这些条件必须在可能的高操作温度下满足。

准则3:在设计双向可控硅触发电路时,尽可能避免使用3+象限(wt2-,+)。

准则4:为了能够减少杂波进行吸收,将栅极结构连接的长度逐渐变小,可以通过直接结果返回线直接连接到MT1(或阴极)。如果我们使用硬线,则使用双螺旋线或屏蔽线。闸门与MT1之间的电阻变化小于或者等于1K。高频旁路电容器与栅电阻串联。另一种方式解决问题方案是使用H系列低灵敏度以及双向可控硅。

规则5:如果DVD/DT或DVCOM/DT有问题,请在MT1和MT2之间添加一个RC缓冲电路。如果高dicom/DT可能导致问题,增加几个mh电感和负载串联。另一个解决方案是使用高通信双向硅。

标准6:在供电严重异常的瞬态过程中,如果可能超过三端双向可控硅开关的电压互感器,则采取以下措施之一:在负载上设置多个muh串联电感,限制DIT/DT电压互感器;连接电源,在电源侧增加滤波电路。

准则7: 通过选择合适的触发电路和避免象限条件,可以大大提高双向晶闸管的容量。

标准8:如果可能超过三端双向可控硅开关的DIT/DT,则在负载上串联一个没有芯电感或几个 μ H的负温度系数的热敏电阻。 另一个解决方案是电阻负载的零电压传导。

规则9:当装置固定在散热器上时,避免对双向控制可控硅施加一定压力,然后进行焊接连接导线。不要将铆钉芯轴放在教学设备管理接口件的侧面。

规则10:确保Rthj-a足够低,可以长时间可靠地工作,以保持TJ不高于Tjmax,对应于可能的高环境温度。