可螺旋应用中几个值得注意的问题

触发驱动问题

作为开关装置，当触发脉冲的持续时间较短时，脉冲幅值必须相应地增大，脉冲宽度也取决于阳极电流达到保持电流的时间。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。晶闸管一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。降压硅链继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。在该系统中，由于感知负载的存在，阳极电流的上升率较低，如果不施加宽脉冲来触发，感知负载往往无法维持。考虑到负载的高灵敏度，该系统采用高水平的触发器，其缺点是可控硅损失太大。

　　可控硅阻断问题

　　可控硅是一种开关器件，应用过程中，影响关断时间的因素有结温、通态电流及其下降率、反向恢复电流下降率、反向电压及正向dv/dt值等。其中以结温及反向电压影响较大，结温愈高，关断时间愈长;反压越高，关断时间愈短。

在系统中，由于感性负载的存在，当换相发生时，电感上会产生很大的反电动势。这种异常电压施加在晶闸管两端，容易造成晶闸管损坏。为了防止这种情况，通常使用浪涌电压吸收电路。

　　dv/dtdi/dt效应分析问题

当dv/dt的断态电压临界上升速率较大时，可以在远低于其正转向电压的电压下传导。如果电路上的dv/dt超过了设备允许的dv/dt值，可控硅就会误导它并失去阻塞能力。在应用电路中，可控硅的栅极通过电阻连接到阴极，从外部绕过位移电流，以防止由dv/dt引起的误导性通信。

　　di/dt过大容易造成可控硅击穿，在电路中采用前沿陡的高电平触发以增大初始导通面积，从而改善di/dt容量。

由于 dv/dt 过大和 di/dt 过大，晶闸管击穿非常严重。通过电路原理可以看出，这种情况会使变压器短路并产生“循环”，导致可控硅甚至变压器损坏。在电路设计中，采用了可靠的可控硅开关检测措施，避免了这种现象的发生。

过压和过流保护措施

　　过电压的产生，主要有通过以下主要原因：

　　(1)变压器投入时的浪涌电压;

       (2)变压器分接开关产生的浪涌电压；

　　(3)雷击侵入时的浪涌电流电压;

       (4)DC电路断开时产生的浪涌电压。

　　在电路中，加入浪涌吸收器可以通过吸收变压器进行一次信息系统研究电磁技术转移而侵入的浪涌电压，同时我们还能有效吸收变压器通断时产生的磁能。为避免出现雷击侵入活动产生的浪涌电压，可采用半导体避雷器。

消除循环是调节器的一个关键问题。为了解决这个问题，我们采取了以下技术措施：

（1）确保晶闸管触发信号可靠。