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如何可控硅的参数

发布时间: 2022-11-24 10:43:09    人气:110 次

晶闸管,又称晶闸管,是硅整流装置中的主要装置。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。防反二极管继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。它可以在很多场合使用。在不同的场合、电路和负载条件下,可以选择晶闸管的重要参数,使器件运行更好、寿命更长。

1.选择正反向电压

可控硅在门极无信号,控制电流Ig为0时,在阳(A)逐一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置,所以,器件呈高阻抗状态,称为正向阻断状态,若增大UAK而达到一定值VBO,可控硅由阻断忽然转为导通,这个VBO值称为正向转折电压,这种导通是非正常导通,会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。在阳逐一阴极之间加上反向电压时,器件的一和三PN结(J1和J3)处于反向偏置,呈阻断状态。当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断忽然转变为导通状态,此时是反向击穿,器件会被损坏。而且VBO和VRB值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况下,如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt),假如电路上未有良好的吸收回路,此电压将会损坏可控硅。因此,可控硅也必须有足够的反向耐压VRRM。

可控硅在变流器(如电机车)中工作时,必须自己能够以电源系统频率进行重复地经受到了一定的过电压而不影响其工作,所以正反向峰值电压技术参数VDRM、VRRM应保证在正常生活使用不同电压达到峰值的2-3倍以上,考虑到学生一些问题可能会导致出现的浪涌电压环境因素,在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数可以选取。

2. 选择额定工作电流参数

晶闸管额定电流为一定条件下的通态均匀电流IT,即在+40 ℃ 环境温度和规定的冷却条件下,器件处于单相工频正弦半波电路中,电阻负载下导通角不小于70 ℃。 额定结温稳定时允许通态均匀电流。 一般变频器工作时,各臂晶闸管的电流系数不均匀。 在大多数情况下,晶闸管不可能在170 ℃ 的导通角下工作,通常小于该导通角。 因此,晶闸管的额定电流必须选择得稍大一点,它应该是正常电流均匀性值的1.5-2.0倍。

3.选择关断时间

如果在阳极电流降至0之后立即加上正极电压,即使没有栅极信号,晶闸管也会再次导通,如果在再次加上正极电压之前,设备经过一段时间的反向偏置电压,不会误导设备启动,也就是说,在晶闸管关断后恢复其闭锁能力需要一定的时间。从电流通过 o 到正向电压能够中断的时间间隔为晶闸管的关断时间 tg,它由反向恢复时间 t 和门极恢复时间 t 组成。普通晶闸管的 tg 为150ー200μs,可用于一般的电力混频器,但在大感性负载的情况下可以作出一些选择。